BSM400D12P3G002
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
BSM400D12P3G002
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM400D12P3G002

DigiKeys produktnummer
846-BSM400D12P3G002-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
BSM400D12P3G002
Beskrivning
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 400 A (Tc) 1570W (Tc) Chassimontering Modul
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillverkare
Rohm Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Bulk
Artikelstatus
Föråldrad
Teknologi
Kiselkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-kanal (H-brygga)
FET-funktion
-
Drain till source-spänning (Vdss)
1200V (1,2kV)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
400 A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5,6V vid 109,2mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
17000pF vid 10V
Effekt - max
1570W (Tc)
Arbetstemperatur
-40°C-150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassimontering
Inkapsling/låda
Modul
Leverantörens enhetsförpackning
Modul
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 2
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Denna produkt tillverkas inte längre och kommer inte längre lagerföras när aktuellt lager är slut. Visa Ersättningsartiklar.
Alla priser är i SEK
Bulk
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 11 765,25000kr 11 765,25
Enhetspris exkl. moms:kr 11 765,25000
Enhetspris inkl. moms:kr 14 706,56250