BSM600D12P3G001 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


Rohm Semiconductor
I lager: 5
Enhetspris : kr 11 046,16000
Datablad
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 600 A (Tc) 2450W (Tc) Chassimontering Modul
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 600 A (Tc) 2450W (Tc) Chassimontering Modul
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM600D12P3G001

DigiKeys produktnummer
846-BSM600D12P3G001-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
BSM600D12P3G001
Beskrivning
MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
MOSFETs - matriser 1200V (1,2kV) 600 A (Tc) 2450W (Tc) Chassimontering Modul
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillverkare
Rohm Semiconductor
Serie
-
Förpackning
Bulk
Artikelstatus
Föråldrad
Teknologi
Kiselkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-kanal (H-brygga)
FET-funktion
-
Drain till source-spänning (Vdss)
1200V (1,2kV)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
600 A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V vid 182mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
31000pF vid 10V
Effekt - max
2450W (Tc)
Arbetstemperatur
-40°C-150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassimontering
Inkapsling/låda
Modul
Leverantörens enhetsförpackning
Modul
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.