IPP80N06S4L07AKSA2 Infineon Technologies | Diskreta halvledarprodukter

IPP80N06S4L07AKSA2 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

onsemi

I lager: 4 648

Enhetspris : kr 3,07000

Similar

IXYS

I lager: 214

Enhetspris : kr 3,21000

Similar

IXYS

I lager: 21

Enhetspris : kr 4,29000

Similar

STMicroelectronics

I lager: 629

Enhetspris : kr 2,50000

Parametrisk ekvivalent

Rochester Electronics, LLC

I lager: 3 692

Enhetspris : kr 0,49230

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPP80N06S4L07AKSA2
DigiKeys produktnummer	IPP80N06S4L07AKSA2-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPP80N06S4L07AKSA2
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 80 A (Tc) 79W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-1
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	80 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	6,7mOhm vid 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,2V vid 40µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	5680 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	79W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO220-3-1
Inkapsling/låda	TO-220-3
Basproduktens nummer	IPP80N