IPP65R420CFDXKSA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


Infineon Technologies
I lager: 483
Enhetspris : kr 23,07000
Datablad

Similar


onsemi
I lager: 78
Enhetspris : kr 34,23000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 22,93930
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 30
Enhetspris : kr 59,42000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 28,60000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 717
Enhetspris : kr 55,27000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 0
Enhetspris : kr 11,22102
Datablad
N-kanal 650 V 8,7 A (Tc) 83,3W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPP65R420CFDXKSA1

DigiKeys produktnummer
IPP65R420CFDXKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IPP65R420CFDXKSA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 8,7 A (Tc) 83,3W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
420mOhm vid 3,4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 340µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
83,3W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO220-3
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Marketplace-lager: 28 833 Visa nu
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.

Other Suppliers on DigiKey

28 833I lager
Skickas från Rochester Electronics, LLC