IPA80R1K4CEXKSA1 är slut i lager och restnotering är inte tillgängligt för närvarande.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Direkt


Infineon Technologies
I lager: 3
Enhetspris : kr 19,07000
Datablad

Similar


onsemi
I lager: 420
Enhetspris : kr 25,73000
Datablad
N-kanal 800 V 2,8 A (Tc) 31W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-FP
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPA80R1K4CEXKSA1

DigiKeys produktnummer
IPA80R1K4CEXKSA1-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IPA80R1K4CEXKSA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 800 V 2,8 A (Tc) 31W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-FP
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Har utgått hos DigiKey
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
800 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
1,4Ohm vid 2,3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,9V vid 240µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
570 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
31W (Tc)
Arbetstemperatur
-40°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO220-FP
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

0 i lager
Marketplace-lager: 134 Visa nu
Till följd av tillfälliga leveransbegränsningar kan vi inte acceptera restordrar, och ledtiden är inte tillgänglig för tillfället. Visa Ersättningsartiklar.

Other Suppliers on DigiKey

134I lager
Skickas från Rochester Electronics, LLC