TPH3205WSB har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


Renesas Electronics Corporation
I lager: 358
Enhetspris : kr 183,19000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 5 072
Enhetspris : kr 126,26000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 405
Enhetspris : kr 86,03000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 590
Enhetspris : kr 131,37000
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 0
Enhetspris : kr 95,79000
Datablad
N-kanal 650 V 36 A (Tc) 125W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 650 V 36 A (Tc) 125W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Welcome to the GaN Revolution!
Transform talks latest developments in GaN technology

TPH3205WSB

DigiKeys produktnummer
TPH3205WSB-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
TPH3205WSB
Beskrivning
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 36 A (Tc) 125W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
60mOhm vid 22A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,6V vid 700µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±18V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-3
Inkapsling/låda
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.