Name: TP65H050WS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: TP65H050WS-ND
Price: 216.375 SEK
Availability: InStock

N-kanal 650 V 34 A (Tc) 119W (Tc) Genomgående hål TO-247-3

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TP65H050WS
DigiKeys produktnummer	TP65H050WS-ND
Tillverkare	Renesas Electronics Corporation
Tillverkarens produktnummer	TP65H050WS
Beskrivning	GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 34 A (Tc) 119W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	GaNFET (kaskod gallium-nitrid-FET)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	34 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	12V
Rds On (max) @ Id, Vgs	60mOhm vid 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,8V vid 700µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1000 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	119W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247-3
Inkapsling/låda	TO-247-3
Basproduktens nummer	TP65H050

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 388

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 173,10000	kr 173,10
30	kr 108,17633	kr 3 245,29
120	kr 96,07508	kr 11 529,01

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.