Name: RBE029N10R1SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND
Price: 35.35 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

N-kanal 100 V 160 A (Tc) 165W (Tc) Ytmontering 8-DFN (4,9x5,75)

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

RBE029N10R1SZN6#HB0
DigiKeys produktnummer	559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND - Remsa och spole (TR) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0CT-ND - Remsbit (CT) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Renesas Electronics Corporation
Tillverkarens produktnummer	RBE029N10R1SZN6#HB0
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 160A 8DFN
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 160 A (Tc) 165W (Tc) Ytmontering 8-DFN (4,9x5,75)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 109µA
Tillv. Renesas Electronics Corporation	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 50 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 165W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 160 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning 8-DFN (4,9x5,75)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Inkapsling/låda 8-PowerTDFN
Rds On (max) @ Id, Vgs 2,9mOhm vid 80A, 10V