Name: RBE015N10R1SZPV#GB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE015N10R1SZPV#GB0TR-ND
Price: 61.7 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

Bilden för RBE015N10R1SZPV#GB0 är inte tillgänglig

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

RBE015N10R1SZPV#GB0
DigiKeys produktnummer	559-RBE015N10R1SZPV#GB0TR-ND - Remsa och spole (TR) 559-RBE015N10R1SZPV#GB0CT-ND - Remsbit (CT) 559-RBE015N10R1SZPV#GB0DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Renesas Electronics Corporation
Tillverkarens produktnummer	RBE015N10R1SZPV#GB0
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 340A TOLG
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 340 A (Tc) 468W (Tc) Ytmontering TOLG
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 250µA
Tillv. Renesas Electronics Corporation	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 13000 pF @ 50 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 468W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 340 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning TOLG
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Inkapsling/låda 8-PowerSMD, måsvinge
Rds On (max) @ Id, Vgs 1,5mOhm vid 100A, 10V