FQP50N06L har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
I lager: 4 047
Enhetspris : kr 16,33000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 6 105
Enhetspris : kr 32,20000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 1 297
Enhetspris : kr 32,20000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
I lager: 393
Enhetspris : kr 28,05000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 28 173
Enhetspris : kr 19,93000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 2 125
Enhetspris : kr 19,10000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 400
Enhetspris : kr 20,02000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 1 619
Enhetspris : kr 23,53000
Datablad
N-kanal 60 V 52,4 A (Tc) 121W (Tc) Genomgående hål TO-220-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

FQP50N06L

DigiKeys produktnummer
FQP50N06L-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
FQP50N06L
Beskrivning
MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 60 V 52,4 A (Tc) 121W (Tc) Genomgående hål TO-220-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
FQP50N06L Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
21mOhm vid 26,2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1630 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
121W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220-3
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.