FCH041N65F-F155 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


onsemi
I lager: 180
Enhetspris : kr 165,62000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 0
Enhetspris : kr 93,56000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 229,47000
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
I lager: 880
Enhetspris : kr 261,58000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 70,35512
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
I lager: 0
Enhetspris : kr 66,20300
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 0
Enhetspris : kr 54,39380
Datablad
N-kanal 650 V 76 A (Tc) 595W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

FCH041N65F-F155

DigiKeys produktnummer
FCH041N65F-F155-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
FCH041N65F-F155
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 76 A (Tc) 595W (Tc) Genomgående hål TO-247-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
FCH041N65F-F155 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
41mOhm vid 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 7,6mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
294 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13020 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
595W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247-3
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.