N-kanal 650 V 70 A (Tc) 262W (Tc) Genomgående hål TO-247N
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 650 V 70 A (Tc) 262W (Tc) Genomgående hål TO-247N
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT3030ALGC11

DigiKeys produktnummer
SCT3030ALGC11-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
SCT3030ALGC11
Beskrivning
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Tillverkarens standardleveranstid
27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 70 A (Tc) 262W (Tc) Genomgående hål TO-247N
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Hitta liknande produkter
Visa tomma attribut
Kategori
Vgs(th) (Max) @ Id
5,6V vid 13,3mA
Tillv.
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 18 V
Förpackning
Rör
Vgs (Max)
+22V, -4V
Artikelstatus
Aktiv
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1526 pF @ 500 V
FET-typ
Effektförlust (max)
262W (Tc)
Teknologi
Arbetstemperatur
175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Monteringstyp
Genomgående hål
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247N
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Inkapsling/låda
Rds On (max) @ Id, Vgs
39mOhm vid 27A, 18V
Basproduktens nummer
Miljö- och exportklassificeringar
Frågor och svar om produkter
Ytterligare resurser
I lager: 880
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 296,68000kr 296,68
30kr 193,41567kr 5 802,47
120kr 175,16350kr 21 019,62
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 296,68000
Enhetspris inkl. moms:kr 370,85000