PSMN2R6-60PSQ Nexperia USA Inc. | Diskreta halvledarprodukter

PSMN2R6-60PSQ har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

I lager: 2 036

Enhetspris : kr 39,22000

Similar

Texas Instruments

I lager: 703

Enhetspris : kr 36,29000

Similar

onsemi

I lager: 1 531

Enhetspris : kr 60,67000

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

I lager: 0

Enhetspris : kr 37,14000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

PSMN2R6-60PSQ
DigiKeys produktnummer	1727-1057-ND
Tillverkare	Nexperia USA Inc.
Tillverkarens produktnummer	PSMN2R6-60PSQ
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 150A (Tc) 326W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	150A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	2,6mOhm vid 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	7629 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	326W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-220AB
Inkapsling/låda	TO-220-3
Basproduktens nummer	PSMN2R6