Name: GAN3R2-100CBEAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND
Price: 71.5875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

GAN3R2-100CBEAZ
DigiKeys produktnummer	1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND - Remsa och spole (TR) 1727-GAN3R2-100CBEAZCT-ND - Remsbit (CT) 1727-GAN3R2-100CBEAZDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Nexperia USA Inc.
Tillverkarens produktnummer	GAN3R2-100CBEAZ
Beskrivning	100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 60A 394W Ytmontering 8-WLCSP (3,5x2,13)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	GAN3R2-100CBEAZ Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	60A
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	5V
Rds On (max) @ Id, Vgs	3,2mOhm vid 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 9mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (Max)	+6V, -4V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1000 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	394W
Arbetstemperatur	-40°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-WLCSP (3,5x2,13)
Inkapsling/låda	8-XFBGA, WLCSP
Basproduktens nummer	GAN3R2