Name: GAN190-650FBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN190-650FBEZTR-ND
Price: 65.1125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

GAN190-650FBEZ
DigiKeys produktnummer	1727-GAN190-650FBEZTR-ND - Remsa och spole (TR) 1727-GAN190-650FBEZCT-ND - Remsbit (CT) 1727-GAN190-650FBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Nexperia USA Inc.
Tillverkarens produktnummer	GAN190-650FBEZ
Beskrivning	650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Tillverkarens standardleveranstid	4 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 11,5 A (Tc) 125W (Tc) Ytmontering, vätbar sida DFN5060-5
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V vid 12,2mA
Tillv. Nexperia USA Inc.	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 6 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) +7V, -1,4V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 96 pF @ 400 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 125W (Tc)
Teknologi GaNFET (galliumnitrid)	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 650 V	Monteringstyp Ytmontering, vätbar sida
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 11,5 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning DFN5060-5
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 6V	Inkapsling/låda 8-PowerVDFN
Rds On (max) @ Id, Vgs 190mOhm vid 3,9A, 6V	Basproduktens nummer GAN190