Name: GAN080-650EBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN080-650EBEZTR-ND
Price: 94.3125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

GAN080-650EBEZ
DigiKeys produktnummer	1727-GAN080-650EBEZTR-ND - Remsa och spole (TR) 1727-GAN080-650EBEZCT-ND - Remsbit (CT) 1727-GAN080-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Nexperia USA Inc.
Tillverkarens produktnummer	GAN080-650EBEZ
Beskrivning	650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Tillverkarens standardleveranstid	4 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 29 A (Tc) 240W (Tc) Ytmontering, vätbar sida DFN8080-8
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V vid 30,7mA
Tillv. Nexperia USA Inc.	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 6 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) +7V, -6V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 225 pF @ 400 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 240W (Tc)
Teknologi GaNFET (galliumnitrid)	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 650 V	Monteringstyp Ytmontering, vätbar sida
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 29 A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning DFN8080-8
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 6V	Inkapsling/låda 8-VDFN exponerad kontaktyta
Rds On (max) @ Id, Vgs 80mOhm vid 8A, 6V	Basproduktens nummer GAN080