IXTH52N65X IXYS | Diskreta halvledarprodukter

IXTH52N65X har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

IXYS

I lager: 450

Enhetspris : kr 105,08000

Similar

onsemi

I lager: 16

Enhetspris : kr 133,25000

Similar

Infineon Technologies

I lager: 1 305

Enhetspris : kr 57,27000

Similar

STMicroelectronics

I lager: 917

Enhetspris : kr 116,90000

Similar

STMicroelectronics

I lager: 443

Enhetspris : kr 107,16000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXTH52N65X
DigiKeys produktnummer	IXTH52N65X-ND
Tillverkare	IXYS
Tillverkarens produktnummer	IXTH52N65X
Beskrivning	MOSFET N-CH 650V 52A TO247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 52 A (Tc) 660W (Tc) Genomgående hål TO-247 (IXTH)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IXTH52N65X Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	IXYS
Serie	Ultra X
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	52 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	68mOhm vid 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	113 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	4350 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	660W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247 (IXTH)
Inkapsling/låda	TO-247-3
Basproduktens nummer	IXTH52