IXFX90N60X har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

IXFX100N65X2
IXYS
I lager: 315
Enhetspris : kr 180,48000
Datablad

Similar

FCH041N65F-F085
onsemi
I lager: 282
Enhetspris : kr 144,49000
Datablad

Similar

SCT3030ALGC11
Rohm Semiconductor
I lager: 880
Enhetspris : kr 261,58000
Datablad

Similar

TK62N60X,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 140
Enhetspris : kr 123,55000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 600 V 90 A (Tc) 1100W (Tc) Genomgående hål PLUS247™-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXFX90N60X

DigiKeys produktnummer
IXFX90N60X-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXFX90N60X
Beskrivning
MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 600 V 90 A (Tc) 1100W (Tc) Genomgående hål PLUS247™-3
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
90 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
38mOhm vid 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,5V vid 8mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1100W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PLUS247™-3
Inkapsling/låda
TO-247-3 variant
Basproduktens nummer
IXFX90
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.