IXFN50N120SK IXYS | Diskreta halvledarprodukter

IXFN50N120SK har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

IXYS

I lager: 132

Enhetspris : kr 325,74000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXFN50N120SK
DigiKeys produktnummer	IXFN50N120SK-ND
Tillverkare	IXYS
Tillverkarens produktnummer	IXFN50N120SK
Beskrivning	SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 48 A (Tc) Chassimontering SOT-227B
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	IXYS
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	48 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	20V
Rds On (max) @ Id, Vgs	52mOhm vid 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,8V vid 10mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	115 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+20V, -5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1895 pF @ 1000 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	-
Arbetstemperatur	-40°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Chassimontering
Leverantörens enhetsförpackning	SOT-227B
Inkapsling/låda	SOT-227-4, miniBLOC
Basproduktens nummer	IXFN50