N-kanal 1200 V 54 A (Tc) Chassimontering SOT-227B
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXFN55N120SK

DigiKeys produktnummer
238-IXFN55N120SK-ND
Tillverkare
IXYS
Tillverkarens produktnummer
IXFN55N120SK
Beskrivning
SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 54 A (Tc) Chassimontering SOT-227B
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
IXYS
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
54 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
15V
Rds On (max) @ Id, Vgs
42mOhm vid 40A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,6V vid 12mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+15V, -4V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3360 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
-
Arbetstemperatur
-40°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Chassimontering
Leverantörens enhetsförpackning
SOT-227B
Inkapsling/låda
SOT-227-4, miniBLOC
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre.