IXFN55N120SK IXYS | Diskreta halvledarprodukter

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IXFN55N120SK
DigiKeys produktnummer	238-IXFN55N120SK-ND
Tillverkare	IXYS
Tillverkarens produktnummer	IXFN55N120SK
Beskrivning	SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 54 A (Tc) Chassimontering SOT-227B
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	IXYS
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	54 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	15V
Rds On (max) @ Id, Vgs	42mOhm vid 40A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,6V vid 12mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	107 nC @ 15 V
Vgs (Max)	+15V, -4V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3360 pF @ 1000 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	-
Arbetstemperatur	-40°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Chassimontering
Leverantörens enhetsförpackning	SOT-227B
Inkapsling/låda	SOT-227-4, miniBLOC

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 132

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Denna produkt tillverkas inte längre och kommer inte längre lagerföras när aktuellt lager är slut.

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 325,74000	kr 325,74
10	kr 240,89900	kr 2 408,99
100	kr 212,43600	kr 21 243,60

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.