IPD50R380CEATMA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Direkt

IPD50R380CEAUMA1
Infineon Technologies
I lager: 16 640
Enhetspris : kr 15,41000
Datablad

Similar

FCD380N60E
onsemi
I lager: 5 483
Enhetspris : kr 29,16000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 500 V 14,1 A (Tc) 98W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 500 V 14,1 A (Tc) 98W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD50R380CEATMA1

DigiKeys produktnummer
IPD50R380CEATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IPD50R380CEATMA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 500 V 14,1 A (Tc) 98W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™ CE
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
500 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
14,1 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
13V
Rds On (max) @ Id, Vgs
380mOhm vid 3,2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,5V vid 260µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
24.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
584 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
98W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO252-3
Inkapsling/låda
TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer
IPD50R
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.