Name: SPB80P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB80P06PGATMA1TR-ND
Price: 52.925 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SPB80P06PGATMA1
DigiKeys produktnummer	SPB80P06PGATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) SPB80P06PGATMA1CT-ND - Remsbit (CT) SPB80P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	SPB80P06PGATMA1
Beskrivning	MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Tillverkarens standardleveranstid	10 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 60 V 80 A (Tc) 340W (Tc) Ytmontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SPB80P06PGATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	80 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	23mOhm vid 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 5,5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	173 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	5033 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	340W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO263-3-2
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer	SPB80P06

Antal	Enhetspris	Totalpris
1 000	kr 15,17198	kr 15 171,98
2 000	kr 14,91210	kr 29 824,20

Enhetspris exkl. moms:	kr 42,34000
Enhetspris inkl. moms:	kr 52,92500

SPB80P06PGATMA1