SPD08N50C3BTMA1 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Direkt

SPD08N50C3ATMA1
Infineon Technologies
I lager: 11 716
Enhetspris : kr 25,37000
Datablad

Similar

STD11NM50N
STMicroelectronics
I lager: 0
Enhetspris : kr 26,20000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 560 V 7,6 A (Tc) 83W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3-11
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SPD08N50C3BTMA1

DigiKeys produktnummer
SPD08N50C3BTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
SPD08N50C3BTMA1
Beskrivning
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO252-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 560 V 7,6 A (Tc) 83W (Tc) Ytmontering PG-TO252-3-11
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
560 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
7,6 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
600mOhm vid 4,6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,9V vid 350µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
750 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
83W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO252-3-11
Inkapsling/låda
TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Basproduktens nummer
SPD08N
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.