Name: ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 32.4875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Beskrivning	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 10 A (Ta), 63 A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Ytmontering PG-TSDSON-8 FL
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	10 A (Ta), 63 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	11,3mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,9V vid 36µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2300 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TSDSON-8 FL
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN