Name: ISK018NE1LM7ATSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISK018NE1LM7ATSA1TR-ND
Price: 18.3125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

ISK018NE1LM7ATSA1
DigiKeys produktnummer	448-ISK018NE1LM7ATSA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-ISK018NE1LM7ATSA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-ISK018NE1LM7ATSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	ISK018NE1LM7ATSA1
Beskrivning	ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 15 V 30A (Ta), 129A (Tc) 2,1W (Ta), 39W (Tc) Ytmontering PG-VSON-6-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	ISK018NE1LM7ATSA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	15 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	30A (Ta), 129A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 7V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,8mOhm vid 20A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V vid 106µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	13.6 nC @ 7 V
Vgs (Max)	±7V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1600 pF @ 7.5 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,1W (Ta), 39W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-VSON-6-1
Inkapsling/låda	6-PowerVDFN