Name: ISC080N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC080N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 32.3875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

ISC080N10NM6ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-ISC080N10NM6ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-ISC080N10NM6ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-ISC080N10NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	ISC080N10NM6ATMA1
Beskrivning	TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 13A (Ta), 75A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Ytmontering PG-TDSON-8 FL
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	ISC080N10NM6ATMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3,3V vid 36µA
Tillv. Infineon Technologies	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 50 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 3W (Ta), 100W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Leverantörens enhetsförpackning PG-TDSON-8 FL
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 75A (Tc)	Inkapsling/låda 8-PowerTDFN
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 8V, 10V	Basproduktens nummer ISC080N
Rds On (max) @ Id, Vgs 8,05mOhm vid 20A, 10V