Name: ISC0802NLSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC0802NLSATMA1TR-ND
Price: 26 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

ISC0802NLSATMA1
DigiKeys produktnummer	448-ISC0802NLSATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-ISC0802NLSATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-ISC0802NLSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	ISC0802NLSATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 22A (Ta), 150A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Ytmontering PG-TDSON-8-7
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	ISC0802NLSATMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,3V vid 92µA
Tillv. Infineon Technologies	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 5190 pF @ 50 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 2,5W (Ta), 125W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Leverantörens enhetsförpackning PG-TDSON-8-7
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 22A (Ta), 150A (Tc)	Inkapsling/låda 8-PowerTDFN
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Basproduktens nummer ISC0802N
Rds On (max) @ Id, Vgs 3,6mOhm vid 50A, 10V