Name: ISC058N04NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC058N04NM5ATMA1TR-ND
Price: 14.1375 SEK
Availability: InStock

ISC058N04NM5ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-ISC058N04NM5ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-ISC058N04NM5ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-ISC058N04NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	ISC058N04NM5ATMA1
Beskrivning	40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 17 A (Ta), 63 A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Ytmontering PG-TDSON-8 FL
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	ISC058N04NM5ATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	17 A (Ta), 63 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	7V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	5,8mOhm vid 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,4V vid 13µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 20 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3W (Ta), 42W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TDSON-8 FL
Inkapsling/låda	8-PowerTDFN
Basproduktens nummer	ISC058N

Enhetspris exkl. moms:	kr 11,31000
Enhetspris inkl. moms:	kr 14,13750

ISC058N04NM5ATMA1