N-kanal 100 V 4,1 A (Ta), 14,4 A (Tc) 2,4W (Ta), 30W (Tc) Ytmontering DIRECTFET SB
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRF7665S2TR1PBF

DigiKeys produktnummer
IRF7665S2TR1PBFTR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IRF7665S2TR1PBF
Beskrivning
MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 100 V 4,1 A (Ta), 14,4 A (Tc) 2,4W (Ta), 30W (Tc) Ytmontering DIRECTFET SB
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
-
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
4,1 A (Ta), 14,4 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
62mOhm vid 8,9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 25µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
515 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2,4W (Ta), 30W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
DIRECTFET SB
Inkapsling/låda
DirectFET™ isometrisk SB
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Alternativa förpackningstyper.