IRFHM830TRPBF har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


Infineon Technologies
I lager: 188
Enhetspris : kr 8,88000
Datablad

Similar


Diodes Incorporated
I lager: 0
Enhetspris : kr 4,73842
Datablad

Similar


onsemi
I lager: 11 782
Enhetspris : kr 17,86050

Similar


Rohm Semiconductor
I lager: 2 283
Enhetspris : kr 11,72000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 301
Enhetspris : kr 15,03000
Datablad
IRFHM830DTR2PBF
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRFHM830TRPBF

DigiKeys produktnummer
IRFHM830TRPBFTR-ND - Remsa och spole (TR)
IRFHM830TRPBFCT-ND - Remsbit (CT)
IRFHM830TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IRFHM830TRPBF
Beskrivning
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 30 V 21 A (Ta), 40 A (Tc) 2,7W (Ta), 37W (Tc) Ytmontering 8-PQFN-Dual (3,3x3,3)
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IRFHM830TRPBF Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
3,8mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,35V vid 50µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2155 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2,7W (Ta), 37W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
8-PQFN-Dual (3,3x3,3)
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.