IRFH8330TRPBF har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


Texas Instruments
I lager: 2 490
Enhetspris : kr 14,76000
Datablad

Similar


Diodes Incorporated
I lager: 0
Enhetspris : kr 2,69561
Datablad

Similar


Diodes Incorporated
I lager: 0
Enhetspris : kr 2,75088
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 19
Enhetspris : kr 23,25000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 2 950
Enhetspris : kr 19,65000
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 2 390
Enhetspris : kr 16,89000
Datablad
N-kanal 30 V 17 A (Ta), 56 A (Tc) 3,3W (Ta), 35W (Tc) Ytmontering PQFN (5x6)
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRFH8330TRPBF

DigiKeys produktnummer
IRFH8330TRPBFTR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IRFH8330TRPBF
Beskrivning
MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 30 V 17 A (Ta), 56 A (Tc) 3,3W (Ta), 35W (Tc) Ytmontering PQFN (5x6)
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
6,6mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,35V vid 25µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1450 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3,3W (Ta), 35W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PQFN (5x6)
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.