IRFH7110TRPBF Infineon Technologies | Diskreta halvledarprodukter

IRFH7110TRPBF har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

Diodes Incorporated

I lager: 0

Enhetspris : kr 3,63460

Similar

STMicroelectronics

I lager: 13 295

Enhetspris : kr 19,47000

Similar

STMicroelectronics

I lager: 102

Enhetspris : kr 23,34000

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

I lager: 2 576

Enhetspris : kr 13,14000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRFH7110TRPBF
DigiKeys produktnummer	IRFH7110TRPBFTR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IRFH7110TRPBF
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 11 A (Ta), 58 A (Tc) 3,6W (Ta), 104W (Tc) Ytmontering 8-PQFN (5x6)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR)
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	11 A (Ta), 58 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	13,5mOhm vid 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 100µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3240 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,6W (Ta), 104W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-PQFN (5x6)
Inkapsling/låda	8-TQFN exponerad kontaktyta