P-kanal 150 V 13 A (Tc) 3,8W (Ta), 110W (Tc) Genomgående hål TO-262
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRF6215LPBF

DigiKeys produktnummer
IRF6215LPBF-ND
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IRF6215LPBF
Beskrivning
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
P-kanal 150 V 13 A (Tc) 3,8W (Ta), 110W (Tc) Genomgående hål TO-262
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
P-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
150 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
13 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
290mOhm vid 6,6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
860 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3,8W (Ta), 110W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-262
Inkapsling/låda
TO-262-3 långa stift, I2PAK, TO-262AA
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre.