IRF2807ZPBF har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
I lager: 0
Enhetspris : kr 6,87284
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 32,02000
Datablad

Similar


onsemi
I lager: 221
Enhetspris : kr 39,86000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 907
Enhetspris : kr 25,47000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 462
Enhetspris : kr 40,14000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 273
Enhetspris : kr 31,00000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 961
Enhetspris : kr 26,20000
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 37
Enhetspris : kr 16,42000
Datablad
N-kanal 75 V 75 A (Tc) 170W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRF2807ZPBF

DigiKeys produktnummer
IRF2807ZPBF-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IRF2807ZPBF
Beskrivning
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 75 V 75 A (Tc) 170W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IRF2807ZPBF Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
75 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
9,4mOhm vid 53A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3270 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
170W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220AB
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.