N-kanal 200 V 12 A (Tc) 80W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRF200B211

DigiKeys produktnummer
IRF200B211-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IRF200B211
Beskrivning
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 200 V 12 A (Tc) 80W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IRF200B211 Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
170mOhm vid 7,2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4,9V vid 50µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
80W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220AB
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 113
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Denna produkt tillverkas inte längre och kommer inte längre lagerföras när aktuellt lager är slut. Visa Ersättningsartiklar.
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 20,34000kr 20,34
50kr 9,82560kr 491,28
100kr 8,80010kr 880,01
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 20,34000
Enhetspris inkl. moms:kr 25,42500