IRF1010NPBF har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


Infineon Technologies
I lager: 244
Enhetspris : kr 16,35000
Datablad

Similar


Diotec Semiconductor
I lager: 0
Enhetspris : kr 17,58000
Datablad

Similar


Diodes Incorporated
I lager: 0
Enhetspris : kr 24,66000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 967
Enhetspris : kr 29,58000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 917
Enhetspris : kr 24,10000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 968
Enhetspris : kr 26,84000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 629
Enhetspris : kr 27,41000
Datablad
IRFB4127PBFXKMA1
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRF1010NPBF

DigiKeys produktnummer
IRF1010NPBF-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IRF1010NPBF
Beskrivning
MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 55 V 85 A (Tc) 180W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IRF1010NPBF Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
55 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
11mOhm vid 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3210 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
180W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220AB
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.