Name: IQE050N08NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 42.5375 SEK
Availability: InStock

N-kanal 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Ytmontering PG-WHTFN-9-1

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IQE050N08NM5CGSCATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQE050N08NM5CGSCATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IQE050N08NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IQE050N08NM5CGSCATMA1
Beskrivning	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Ytmontering PG-WHTFN-9-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQE050N08NM5CGSCATMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 5mOhm vid 20A, 10V
Tillv. Infineon Technologies	Vgs(th) (Max) @ Id 3,8V vid 49µA
Serie OptiMOS™ 5	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 40 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 80 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 16A (Ta), 99A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PG-WHTFN-9-1
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Inkapsling/låda 9-PowerWDFN