Name: IQE013N04LM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6SCATMA1TR-ND
Price: 37.0875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IQE013N04LM6SCATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQE013N04LM6SCATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IQE013N04LM6SCATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IQE013N04LM6SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IQE013N04LM6SCATMA1
Beskrivning	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	14 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Ytmontering PG-WHSON-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQE013N04LM6SCATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	31A (Ta), 205A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,35mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V vid 51µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	3800 pF @ 20 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,5W (Ta), 107W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-WHSON-8-1
Inkapsling/låda	8-PowerWDFN