Name: IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1TR-ND
Price: 66.825 SEK
Availability: OutOfStock

N-kanal 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Ytmontering PG-WHTFN-9-U02

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IQDH45N04LM6CGSCATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Beskrivning	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Tillverkarens standardleveranstid	61 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Ytmontering PG-WHTFN-9-U02
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 0,49mOhm vid 50A, 10V
Tillv. Infineon Technologies	Vgs(th) (Max) @ Id 2,3V vid 1,449mA
Serie OptiMOS™ 6	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 4.5 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 20 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 3W (Ta), 333W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 40 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 58A (Ta), 611A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PG-WHTFN-9-U02
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Inkapsling/låda 9-PowerWDFN