Name: IQDH29NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 52.8 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

IQDH29NE2LM5SCATMA1
cms-digikey-product-number	448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IQDH29NE2LM5SCATMA1
cms-description	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
cms-standard-lead-time	18 veckor
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanal 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Ytmontering PG-WHSON-8-U02
Datablad	Datablad
cms-eda-cad-models	IQDH29NE2LM5SCATMA1 Modeller

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	25 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	75A (Ta), 789A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	0,29mOhm vid 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V vid 1,448mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±16V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	17000 pF @ 12 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,5W (Ta), 278W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-WHSON-8-U02
Inkapsling/låda	8-PowerWDFN

Enhetspris exkl. moms:	kr 42,24000
Enhetspris inkl. moms:	kr 52,80000

IQDH29NE2LM5SCATMA1