Parametrisk ekvivalent
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

IPW65R110CFDFKSA1 | |
|---|---|
DigiKeys produktnummer | 448-IPW65R110CFDFKSA1-ND |
Tillverkare | |
Tillverkarens produktnummer | IPW65R110CFDFKSA1 |
Beskrivning | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 |
Kundreferens | |
Detaljerad beskrivning | N-kanal 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3-1 |
Datablad | Datablad |
Kategori | Vgs(th) (Max) @ Id 4,5V vid 1,3mA |
Tillv. | Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 118 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max) ±20V |
Förpackning Rör | Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 3240 pF @ 100 V |
Artikelstatus Föråldrad | Effektförlust (max) 277,8W (Tc) |
FET-typ | Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ) |
Teknologi | Monteringstyp Genomgående hål |
Drain till source-spänning (Vdss) 650 V | Leverantörens enhetsförpackning PG-TO247-3-1 |
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C | Inkapsling/låda |
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V | Basproduktens nummer |
Rds On (max) @ Id, Vgs 110mOhm vid 12,7A, 10V |
| Artikelnummer | Tillverkare | Tillgängligt antal | DigiKeys produktnummer | Enhetspris | Typ av ersättningsartikel |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 190 | 448-IPW65R110CFDFKSA2-ND | kr 2 155,22000 | Parametrisk ekvivalent |
| FCH110N65F-F155 | onsemi | 360 | FCH110N65F-F155-ND | kr 2 825,47000 | Similar |
| FCH150N65F-F155 | onsemi | 262 | FCH150N65F-F155-ND | kr 2 530,31000 | Similar |
| SIHG33N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG33N65EF-GE3-ND | kr 2 659,44000 | Similar |
| STW30N65M5 | STMicroelectronics | 600 | 497-10655-5-ND | kr 2 081,44000 | Similar |







