Name: IPW65R099C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW65R099C6FKSA1-ND
Price: 86.275 SEK
Availability: OutOfStock

IPW65R099C6FKSA1
DigiKeys produktnummer	IPW65R099C6FKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPW65R099C6FKSA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 38 A (Tc) 278W (Tc) Genomgående hål PG-TO247-3-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPW65R099C6FKSA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Inte för nya designer
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	38 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	99mOhm vid 12,8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,5V vid 1,2mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	127 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2780 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	278W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO247-3-1
Inkapsling/låda	TO-247-3
Basproduktens nummer	IPW65R099

Enhetspris exkl. moms:	kr 69,02000
Enhetspris inkl. moms:	kr 86,27500

IPW65R099C6FKSA1