Name: IPTG007N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTG007N06NM5ATMA1TR-ND
Price: 94.225 SEK
Availability: InStock

IPTG007N06NM5ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPTG007N06NM5ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IPTG007N06NM5ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IPTG007N06NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPTG007N06NM5ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8
Tillverkarens standardleveranstid	25 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 53A (Ta), 454A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Ytmontering PG-HSOG-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPTG007N06NM5ATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	53A (Ta), 454A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	0,75mOhm vid 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,3V vid 280µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	261 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	21000 pF @ 30 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HSOG-8-1
Inkapsling/låda	8-PowerSMD, måsvinge
Basproduktens nummer	IPTG007N

Enhetspris exkl. moms:	kr 75,38000
Enhetspris inkl. moms:	kr 94,22500

IPTG007N06NM5ATMA1