Name: IPT60R080G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R080G7XTMA1TR-ND
Price: 77.25 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

IPT60R080G7XTMA1
DigiKeys produktnummer	IPT60R080G7XTMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) IPT60R080G7XTMA1CT-ND - Remsbit (CT) IPT60R080G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPT60R080G7XTMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Tillverkarens standardleveranstid	19 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 600 V 29 A (Tc) 167W (Tc) Ytmontering PG-HSOF-8-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPT60R080G7XTMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ G7
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	29 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	80mOhm vid 9,7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 490µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1640 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	167W (Tc)
Arbetstemperatur	-40°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HSOF-8-2
Inkapsling/låda	8-PowerSFN
Basproduktens nummer	IPT60R080

Enhetspris exkl. moms:	kr 61,80000
Enhetspris inkl. moms:	kr 77,25000

IPT60R080G7XTMA1