Name: IPT039N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND
Price: 69.7 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPT039N15N5ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IPT039N15N5ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IPT039N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPT039N15N5ATMA1
Beskrivning	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	26 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3,8W (Ta), 319W (Tc) Ytmontering PG-HSOF-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPT039N15N5ATMA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	150 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	21A (Ta), 190A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	8V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	3,9mOhm vid 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,6V vid 257µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	7700 pF @ 75 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,8W (Ta), 319W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HSOF-8
Inkapsling/låda	8-PowerSFN