Name: IPT019N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT019N08N5ATMA1TR-ND
Price: 54.1625 SEK
Availability: InStock

IPT019N08N5ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPT019N08N5ATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IPT019N08N5ATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IPT019N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPT019N08N5ATMA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Tillverkarens standardleveranstid	25 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 32A (Ta), 247A (Tc) 231W (Tc) Ytmontering PG-HSOF-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPT019N08N5ATMA1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	32A (Ta), 247A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,9mOhm vid 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3,8V vid 159µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	127 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	9200 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	231W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PG-HSOF-8-1
Inkapsling/låda	8-PowerSFN
Basproduktens nummer	IPT019

Antal	Enhetspris	Totalpris
2 000	kr 14,56257	kr 29 125,14
4 000	kr 14,39511	kr 57 580,44

Enhetspris exkl. moms:	kr 43,33000
Enhetspris inkl. moms:	kr 54,16250

IPT019N08N5ATMA1