Name: IPT015N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 64.3125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPT015N10NF2SATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND - Remsa och spole (TR) 448-IPT015N10NF2SATMA1CT-ND - Remsbit (CT) 448-IPT015N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPT015N10NF2SATMA1
Beskrivning	MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	17 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 35A (Ta), 315A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Ytmontering PG-HSOF-8-10
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPT015N10NF2SATMA1 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Rds On (max) @ Id, Vgs 1,5mOhm vid 150A, 10V
Tillv. Infineon Technologies	Vgs(th) (Max) @ Id 3,8V vid 267µA
Serie StrongIRFET™ 2	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 242 nC @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±20V
Artikelstatus Aktiv	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 11000 pF @ 50 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 3,8W (Ta), 300W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 35A (Ta), 315A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning PG-HSOF-8-10
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Inkapsling/låda 8-PowerSFN