P-kanal 30 V 80 A (Tc) 137W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-1
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPP80P03P4L04AKSA2

DigiKeys produktnummer
448-IPP80P03P4L04AKSA2-ND
Tillverkare
Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer
IPP80P03P4L04AKSA2
Beskrivning
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
P-kanal 30 V 80 A (Tc) 137W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-1
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™ P2
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
P-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
80 A (Tc)
Rds On (max) @ Id, Vgs
4,4mOhm vid 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V vid 253µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+5V, -16V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
137W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
Automotive
Godkännande
AEC-Q101
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
PG-TO220-3-1
Inkapsling/låda
TO-220-3
Basproduktens nummer
IPP80P03
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre.
Associerad produktVisa alla
2 Artiklar
AUIR2085STR

AUIR2085STR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

kr 36,35000
TLE9180D31QKXUMA1

TLE9180D31QKXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP

Infineon Technologies

kr 59,88000