IPP80N04S4L04AKSA1 Infineon Technologies | Diskreta halvledarprodukter

IPP80N04S4L04AKSA1 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

Infineon Technologies

I lager: 98

Enhetspris : kr 13,51000

Similar

Texas Instruments

I lager: 584

Enhetspris : kr 23,72000

Similar

Diodes Incorporated

I lager: 70

Enhetspris : kr 29,11000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPP80N04S4L04AKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IPP80N04S4L04AKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPP80N04S4L04AKSA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 80 A (Tc) 71W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPP80N04S4L04AKSA1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	80 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	4,3mOhm vid 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,2V vid 35µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	4690 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	71W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	Automotive
Godkännande	AEC-Q101
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO220-3-1
Inkapsling/låda	TO-220-3
Basproduktens nummer	IPP80N04