IPP65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies | Diskreta halvledarprodukter

IPP65R420CFDXKSA1 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended

Infineon Technologies

I lager: 488

Enhetspris : kr 22,96000

Similar

onsemi

I lager: 78

Enhetspris : kr 32,79000

Similar

IXYS

I lager: 0

Enhetspris : kr 23,49397

Similar

IXYS

I lager: 35

Enhetspris : kr 60,86000

Similar

STMicroelectronics

I lager: 740

Enhetspris : kr 57,55000

Similar

STMicroelectronics

I lager: 0

Enhetspris : kr 12,01019

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IPP65R420CFDXKSA1
DigiKeys produktnummer	IPP65R420CFDXKSA1-ND
Tillverkare	Infineon Technologies
Tillverkarens produktnummer	IPP65R420CFDXKSA1
Beskrivning	MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 8,7 A (Tc) 83,3W (Tc) Genomgående hål PG-TO220-3
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	8,7 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	420mOhm vid 3,4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4,5V vid 340µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	870 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	83,3W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	PG-TO220-3
Inkapsling/låda	TO-220-3
Basproduktens nummer	IPP65R420